股票在线配资公司内置高侧过流保护电路

JSMSEMI杰盛微半导体

SMSEMI杰盛微研发生产霍尔磁性传感器SOC芯片、驱动IC、电源管理芯片、MOSFETS场效应、二三极管、晶体管、单双三四象可控硅等产品。为消费类，工业类，汽车级客户提供技术解决方案，诚招代理商，期待您的加盟！杨女士13824341110

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JSM2127STR在功率电子领域，栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接影响整个系统的效率、可靠性与安全性。杰盛微半导体（JSMSEMI）推出的JSM21271STR，作为一款 300V 集成自举带过流检测的单通道高侧栅极驱动芯片，不仅填补了国产高性能驱动芯片的空白，更以优异的兼容性和性能，成为 IR21271 的理想替代方案。今天，我们就来深入解析这款芯片的核心优势与应用价值。

一、概览 JSM21271是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。JSM21271采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。 JSM21271其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MSFET，浮地通道最高工作电压可达300 V。JSM21271采用 SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。二、产品特性自举工作的浮地通道最高工作电压为+300V兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑dVs/dt 耐受能力可达±50 V/nsVs 负偏压能力达-5V输入输出同相位栅极驱动电压--从8V到 22V集成欠压锁定电路--欠压阈值 6.8V17.2V芯片传输延时特性--开通/关断传输延时 Ton/Toff=150ns/150ns宽温度范围-40°C~125°CFautt 引脚故障输出符合 RoSH 标准SOP-8(S)三、应用范围DC-DC转换器开关电源太阳能逆变器不间断电源(UPS）电机控制和驱动机器人技术电动汽车快速充电四、技术参数详解：硬核实力看得见1. 极限工作范围超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的，环境温度为 25℃。2. 推荐工作范围：为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的，环境温度为25℃。五、引脚功能描述六、功能框图📢 联系我们立即获取JSM21271STR完整技术资料！在功率电子国产化的浪潮中，JSM21271STR 的出现，为工程师提供了一个 “性能更优、成本更低、供应更稳” 的 IR21271 替代方案。无论是追求设计效率的量产项目，还是应对严苛工况的高端设备，这款芯片都能以 “无缝兼容 + 性能升级” 的双重优势，成为系统可靠性的坚实保障。现在，杰盛微 JSM21271STR 样品已全面开放申请，扫描下方二维码即可获取 datasheet 与测试支持，让你的设计加速落地！如需获取JSM21271STRdatasheet、样品或代理合作咨询，欢迎联系：📞 服务热线：13824341110📧 邮箱：janice@jsmsemi.com🌐 官网：www.jsmsemi.com杰盛微半导体提供完善的技术支持，帮助客户快速导入设计：📌 免费申请样品（新客户专享）📌 提供参考设计及开发工具📌 资深FAE团队一对一支持关注我们，获取更多资源🔹 回复 “ JSM21271STR” 获取规格书 & 设计指南🔹 回复 “电源方案” 获取典型应用案例集杰盛微半导体——专注高性能电源管理芯片，助力您的产品更高效、更可靠！JSMSEMI杰盛微END

（注：本文数据均基于杰盛微 JSM21271STR官方文档，实际应用请以产品规格书为准。）

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